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              電介質薄膜的成膜方法
              發布日期:2018/3/26 10:24:02
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              [發明公布] 電介質薄膜的成膜方法

              • 申請公布號:CN103189968A
              • 申請公布日:2013.07.03
              • 申請號:2011800531700
              • 申請日:2011.10.03
              • 申請人:株式會社愛發科
              • 發明人:木村勛;
                 神保武人; 小林宏樹; 遠藤洋平; 大西洋平
              • 地址:日本神奈川縣
              • 分類號:H01L21/316(2006.01)I;  全部
                •  C01G21/06(2006.01)I; C01G25/00(2006.01)I; C23C14/02(2006.01)I; C23C14/08(2006.01)I; C23C14/34(2006.01)I
                • 專利代理機構:中國專利代理(香港)有限公司72001
                • 代理人:臧霽晨; 劉春元
                • 優先權:2010-227008 2010.10.06 JP
                • PCT進入國家階段日:2013.05.03
                • PCT申請數據:PCT/JP2011/072805 2011.10.03
                • PCT公布數據:WO2012/046706 JA 2012.04.12
              摘要: 本發明提供能夠形成具有(100)/(001)取向的PZT薄膜的電介質薄膜的成膜方法。使PbO氣體附著在襯底的表面形成種子層后,一邊在已抽真空的真空槽內對襯底進行加熱一邊對鋯鈦酸鉛(PZT)靶施加電壓進行濺射,在襯底的表面上形成PZT薄膜。由種子層提供Pb和O,得到在PZT薄膜上不發生Pb缺損的、具有(001)/(100)取向的PZT膜。

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