通遼科技大市場暨內蒙古東部常設技術市場
高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器
[發明公布] 高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器
- 申請公布號：CN105097959A
- 申請公布日：2015.11.25
- 申請號：2014101875316
- 申請日：2014.05.06
- 申請人：穩懋半導體股份有限公司
- 發明人：花長煌;
劭耀亭; 許政慶; 朱文慧 - 地址：中國臺灣桃園縣
- 分類號：H01L29/92(2006.01)I; H01L27/108(2006.01)I 全部
- 專利代理機構：北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙)11301
- 代理人：劉祖芬
摘要： 本發明提供一種高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，應用于復合半導體集成電路，包括：一基板、一隔離層、一第一金屬層、一介電材料層、一粘合層以及一第二金屬層；其中介電材料層是由復數層二氧化鉿（HfO2）層與復數層二氧化硅（SiO2）層交替堆疊而成，復數層二氧化鉿層的每一層的厚度大于30？且小于100？，借此使得復數層二氧化鉿層的每一層的二氧化鉿的漏電流降低以及崩潰電壓提高且同時保有高電容密度；且由復數層二氧化鉿層與復數層二氧化硅層交替堆疊而成的介電材料層的厚度大于500？，借此使得電容器的崩潰電壓提高至50V以上。
【 糾 錯 】 【加入收藏】【打印本頁】【關閉窗口】
蒙公網安備 15050202000321號
